Temperature Dependent Current-Voltage and Capacitance-Voltage Characteristics of an Au/n-Type Si Schottky Barrier Diode Modified Using a PEDOT:PSS Interlayer

Хэвлэлийн нэр: Materials Transactions

Зохиогч:  Х.Загарзүсэм

Хамтран зохиогч: Zagarzusem Khurelbaatar, Kyu-Hwan Shim, Jaehee Cho, Hyobong Hong, V. Rajagopal Reddy, Chel-Jong Choi

Хэвлүүлсэн огноо: 2014-11-14

Хуудас дугаар: Vol. 56, No. 1 (2015) pp. 10 to 16

Өгүүллийн хураангуй:


Өгүүллийн төрөл: Томсон-Ройтерсийн индекстэй(IF-JCR) сэтгүүл

Өгүүллийн зэрэглэл: Гадаад

Түлхүүр үг: #barrier inhomogeneity #gaussian distribution #poly(3 #Schottky barrier diode #4-ethylenedioxythiophene):polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS)

Өгүүлэл нэмсэн: Х.Загарзүсэм

Монгол Улсын Шинжлэх Ухаан Технологийн Их Сургууль © 2019